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SK海力士:采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产

CNMO 【原创】 作者:陈思学 2021-07-12 11:16
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  【CNMO新闻】7月12日,SK海力士正式对外宣布开始量产适用第四代10纳米(1a)级工艺的8Gigabit(Gb) *LPDDR4移动端DRAM产品。SK海力士官方表示,公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

SK海力士:采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产

  自从10纳米级DRAM产品开始,半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名,此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)之后的第四代工艺节点。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品,1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%,这也将进一步提升DRAM的产能。

采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产
采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产

  在性能方面,SK海力士的LPDDR4移动端DRAM支持4266Mbps的最高速度,同时功耗相较前一代产品降低了约20%。

  SK海力士同时表示,除LPDDR4产品外,公司还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

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