SK海力士：采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产

　　【CNMO新闻】7月12日，SK海力士正式对外宣布开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的8Gigabit（Gb） *LPDDR4移动端DRAM产品。SK海力士官方表示，公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

　　自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%，这也将进一步提升DRAM的产能。

采用EUV技术的第四代10nmDRAM正式量产

　　在性能方面，SK海力士的LPDDR4移动端DRAM支持4266Mbps的最高速度，同时功耗相较前一代产品降低了约20%。

　　SK海力士同时表示，除LPDDR4产品外，公司还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

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